功率半导体业的意法半导体推出一系列创新的绝缘栅双极晶体管（
IGBT）,新系列产品采用高效的寿命控制工艺,有效降低关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT（包括STGxL6NC60D 600V PowerMESH）,用于工作频率超过20kHz的照明镇流器等节能型电路内,应用的整体功率可望提高到一个新的水平,远胜标准技术的MOSFET。意法半导体，是微电子应用领域中开发供应半导体解决方案的世界级主导厂商。硅片与系统技术的完美结合，雄厚的制造实力，广泛的知识产权组合，以及强大的战略合作伙伴关系，使意法半导体在系统级芯片技术方面居最前沿地位。在今天实现技术一体化的发展趋势中，ST的产品扮演了一个重要的角色。公司股票分别在纽约股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米兰股票交易所上市。开关性能的改进容许设计工程师把
IGBT用于以硬开关拓扑和谐振电路为特点的高度竞争力产品。新产品关断能耗降低,使用很小的缓冲电容器即可在低结温下工作,带来降低功耗、提高可靠性、缩小电路板空间等优点。在芯片的单位面积性能方面,ST的新IGBT技术远远胜于传统的MOSFET晶体管,有助于实现成本更加低廉的解决方案。新产品还有一个优点：封装内含有一个超快速软恢复二极管,保证新产品具有其它功率器件无法实现的高dV/dt抗扰性。新系列超高速
IGBT的目标应用包括70W-150W高频镇流器以及开关电源、功率因数控制器和其它的高频功率开关设备。